桑間濮上網三星即將推出下一代QLC NAND V9方案 每平方毫米容量達28.5Gb – 藍點網
盡管目前 QLC 閃存因為壽命和速度問題不太討喜，星即不過三星此前已經推出基于 QLC 的將推固態硬盤，而且三星認為 QLC 是出下個提高容量的不錯的解決方案。
為此三星正在準備推出該公司的代Q達G點網下一代 QLC NAND V9 解決方案，堆疊層數為 280 層，平方其容量密度達到每平方毫米 28.5Gb，毫米遠超競爭對手。容量
目前業界最高密度的星即閃存是長江存儲的 232 層 QLC 閃存，每平方毫米容量為 20.62Gb，將推不過長江存儲的出下 232 層 QLC 閃存也還沒有正式推出。
速度方面，代Q達G點網報道稱 QLC NAND V9 的平方最大傳輸速度為 3.2Gbps (每個芯片)，這比三星之前的毫米版本 2.4Gbps 要快不少，所以對于 M.2 SSD 來說速度不會太差。容量
然而 QLC SSD 基本都配備了緩存，星即有緩存的情況下讀寫速度還不錯，一旦緩存寫滿或者說直接對 QLC 閃存進行讀寫，那速度就會很慘了，有時候到 100~300MB/S (這已經算高的了，有些只有 100MB/S 以內，堪比機械盤)，這就失去了 SSD 的優勢。
不過畢竟 QLC SSD 價格也會便宜，另外由于密度大，三星可能會推出消費級的 8TB QLC M.2 固態硬盤。
