7月20日消息，星電宣布近日三星電子宣布已完成其業(yè)內(nèi)首款GDDR7的已完業(yè)內(nèi)研發(fā)工作。年內(nèi)將首先搭載于主要客戶的首款下一代系統(tǒng)上驗證，從而帶動未來顯卡市場的發(fā)工增長，并進(jìn)一步鞏固三星電子在該領(lǐng)域的星電宣布技術(shù)地位。



　　繼2022年三星開發(fā)出速度為每秒24千兆比特(Gbps)的已完業(yè)內(nèi)GDDR6 16Gb之后，GDDR7 16Gb產(chǎn)品將提供目前為止三星顯存的首款最高速度32Gbps。同時，發(fā)工集成電路（IC）設(shè)計和封裝技術(shù)的星電宣布創(chuàng)新提升了高速運行下的性能穩(wěn)定性。

　　值得一提的已完業(yè)內(nèi)是，三星GDDR7可達(dá)到出色的首款每秒1.5太字節(jié)（TBps）的帶寬，是發(fā)工GDDR6 1.1TBps的1.4倍，并且每個數(shù)據(jù)I/O（輸入/輸出）口速率可達(dá)32Gbps。星電宣布該產(chǎn)品采用脈幅調(diào)制（PAM3）信號方式，已完業(yè)內(nèi)取代前幾代產(chǎn)品的首款不歸零（NRZ）信號方式，從而實現(xiàn)性能大幅提升。在相同信號周期內(nèi)，PAM3信號方式可比NRZ信號方式多傳輸50%的數(shù)據(jù)。

　　另外，GDDR7的設(shè)計采用了適合高速運行的節(jié)能技術(shù)，相比GDDR6能效提高了20%。針對筆記本電腦等注重功耗的設(shè)備，三星提供了一個低工作電壓的選項。

　　為最大限度地減少顯存芯片發(fā)熱，除集成電路（IC）架構(gòu)優(yōu)化外，三星還在封裝材料中使用具有高導(dǎo)熱性的環(huán)氧成型化合物（EMC）材料。與GDDR6相比，這些改進(jìn)不僅顯著降低70%的熱阻，還幫助GDDR7在高速運行的情況下，實現(xiàn)穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。